초록 |
반도체 공정의 배선물질로 우수한 전기전도도를 지니고 있는 Cu의 표면에 확산을 방지하고 산화를 억제할 수 있는 보호막(capping layer) 물질로서 Co 또는 Ni 을 포함한 표면보호막물질에 대하여 많은 연구가 진행되어 왔다. 지금까지의 NiMoP 박막의 무전해 도금(Electroless plating) 연구들에서는 전구체로 sodium 물질이 포함되는 화학물질이 이용되고, pH조절제로 KOH가 사용되는 등 알칼리(alkali)금속을 포함하고 있는 화학물질이 사용되었다. 그러나 alkali 물질은 SiO2 내에서 이동성 포획전하(mobile trapping charge)를 형성함으로써 절연막으로서의 SiO2의 특성을 악화시키는 것으로 알려져 있다. 따라서 기존의 sodium계열의 전구체 대신 ammonium 계열의 전구체를 사용하여 alkali-free 용액에서 무전해 도금을 수행하였다. 실험은 각 전구체의 농도를 변화시켜 진행하였으며, Ni, Mo, 및 P 각각의 조성 변화가 박막의 두께와 결정형태에 끼치는 영향을 조사하였다. 또한 열처리 온도에 따른 NiMoP 박막의 전기화학적 내부식성을 조사하였다. |