| 초록 |
Sr(DPM)2와 Ti(i-OC3H7)2(DPM)2를 섞은 혼합 전구체를 사용하여 SrTiO3를 증착시킨 경우에 기존 MOCVD공정 보다 증착 온도및 기화기의 온도를 낮출 수 있어 공정 조건을 상당히 완화시킬 수 있다. 특히, 표면 분석용으로 제작한 porous Si wafer를 사용하고 FTIR과 XRD로 박막의 특성을 분석한 결과, Sr(DPM)2 : Ti(i-OC3H7)4를 1:2로 섞은 경우에 불순물도 적고, 결정성도 뛰어난 박막을 얻을 수 있었다.혼합 전구체와 단일 전구체의 TG 분석 결과에서 혼합 전구체를 사용한 경우에 단일 전구체를 사용한 경우보다 녹는 점이 낮아지는 효과가 있는 것을 알 수 있었다. 질량 분석기를 이용하여 기상의 조성을 살펴본 결과, ligand의 탄화 수소의 분해 반응은 기상의 온도에 비례하여 활발해지는것을 알 수 있었다. 또한, FT-IR을 이용하여 살펴본 기상 반응 기구의 관찰에서는 ligand의 분해물질은 대부분 케톤 계열의 물질과 CO등임을 알 수 있었다. 그리고, 질소 분위기보다 산소 분위기에서 전구체에 있는 금속과 리간드의 분해가 활발하게 일어나고 있는 것을 알 수 있었다.
|
