| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2009년 봄 (04/15 ~ 04/17, 호텔인터불고(대구)) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 나노 |
| 제목 | 초임계 이산화탄소를 이용한 TEOS 박막 에칭 시 발생되는 잔류물 제거 |
| 초록 | 반도체 및 MEMS 제조를 위한 표면가공기술에서 습식 에칭 공정은 물의 높은 표면 장력에 기인하여 미세 구조물 제조에 한계를 가진다. 따라서 낮은 표면 장력과 점성, 높은 확산성을 가지는 초임계 이산화탄소를 용매로 한 건식 에칭 기술이 활발히 연구 중이다. HF/pyridine 을 사용하는 초임계 이산화탄소 건식 에칭 방법은 TEOS 박막 에칭시 습식 에칭에서 발생하지 않는 SiF42(CH2)5NH 이 발생하게 되며, 우리는 nitromethane, bis(2-methoxyethyl)ether를 사용하여 에칭 잔류물을 효과적으로 제거 할 수 있었다. |
| 저자 | 배재현, 임권택 |
| 소속 | 부경대 |
| 키워드 | 초임계 이산화탄소; 에칭; HF/pyridine; TEOS; SiF42(CH2)5NH |
