| 초록 |
원자층 증착 방법에 의해 제작된 산화 알루미늄 박막은 상대적으로 큰 유전상수와 넓은 밴드 에너지를 가지므로, 저전력 구동이 가능한 트렌지스터의 게이트 유전 박막으로 활용 가능하다. 또한, 최근 유연하며 늘림이 가능한 전자 소자의 수요가 증가함에 따라, 기판의 유리 전이 온도(Tg) 이하의 낮은 공정 온도에서도 우수한 유전 박막의 특성을 구현하는 것이 산업적으로 중요하다. 본 연구에서는, 원자층 증착 기술로 저온에서 산화 알루미늄 박막을 성장하고, 자기조립단분자층을 이용하여 박막의 전기적 특성을 더욱 향상시켰을 뿐만 아니라, 이렇게 제작된 유전 박막을 이용하여 탄소나노튜브 전계 효과 트랜지스터 (CNT-FET)를 제작하였다. CNT-FET 의 제작을 위해 화학 기상 증착법에 의해 제작된 CNT를 에나멜 고분자를 이용하여 알루미늄 박막에 전이하였는데, 이는 산화 알루미늄과 금 박막의 낮은 접착력 문제를 해결할 수 있기 때문에 기존의 전이 방법들에 비해 높은 전이 수율을 보였으며, 라만 분석을 통해 CNT의 전이가 아무런 손상 없이 이뤄졌음을 확인하였다. 우리는 이렇게 제작된 CNT-FET 가 저전력 구동이 가능함을 실험적으로 보였으며,이와 같은 유-무기 하이브리드 게이트 유전막 제조 및 나노선 전이 기술이 차세대의 늘림이 가능한 유연 전자소자 및 센서 제작에 널리 응용될 수 있을 것으로 기대한다. |
