| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2011년 봄 (04/07 ~ 04/08, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 36권 1호 |
| 발표분야 | 그래핀 과학과 기술 |
| 제목 | 그래핀 기반의 유연저항변화 메모리의 특성과 그 스위칭 메카니즘 분석 |
| 초록 | 그래핀 옥사이드 (Graphene oxide, GO) 를 사용하여 저항변화 메모리 소자를 구현하였다. GO 메모리 소자는 그 스위칭 특성이 전극물질에 따라 크게 변하고, GO 층의 두께에도 민감하게 변하는 특성을 보인다. Al/GO/ITO 의 구조를 사용하고 30 nm 두께의 GO 를 사용하였을 때, 1000배 이상의 on/off 저항비를 가지며 set/reset 전압이 1 ~ 2 V 사이로 낮은 우수한 특성을 보였다. GO 기반의 메모리를 유연기판위에 제작하였을 때, 4mm 반경에서도 스위칭 특성이 변하지 않는 우수한 유연특성도 가지고 있었다. 또한 GO 메모리의 스위칭 메커니즘에 대하여도 체계적으로 연구하였다. |
| 저자 | 홍슬기, 조병진 |
| 소속 | KAIST 전기 및 전자공학과 |
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