| 학회 |
한국고분자학회 |
| 학술대회 |
2011년 가을 (10/06 ~ 10/07, 김대중 컨벤션센터) |
| 권호 |
36권 2호 |
| 발표분야 |
유기전자소자용 소재 및 소자(분자전자소재 부문위원회) |
| 제목 |
Indeno flurorene계 유도체를 사용한 세로형트랜지스터의 제작 및 특성 분석에 관한 연구 |
| 초록 |
최근 유기트랜지스터에서는 높은 on/off 비, 낮은 turn-on 전압 그리고 빠른 반응 속도를 갖는 트랜지스터의 개발 연구가 활발히 진행되고 있다. 본 연구에서는 신규 indeno fluorene계 물질로써 높은 전자 이동도를 보여주는 n형 반도체 물질인 Tri-IF-dione-F를 사용한 세로형 유기트랜지스터를 제작하였다. 또한 n형 유기 buffer 층으로 DMDCNQI를 사용하여 금속 전극과의 접촉저항의 개선 가능성을 조사하였다. ITO(drain)/Tri-IF-dione-F/metal (gate)/Tri-IF-dione-F/DMDCNQI/metal (source) 구조로 제작하여, 최적화된 디바이스의 구성요건을 확립하였다. |
| 저자 |
민현식, 오세용, 이태연, 정대영
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| 소속 |
서강대 |
| 키워드 |
세로형 유기 트랜지스터; Tri-IF-dione-F; 접촉저항; on/off 비율
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