화학공학소재연구정보센터
학회 한국재료학회
학술대회 2015년 봄 (05/14 ~ 05/15, 구미코)
권호 21권 1호
발표분야 G. 나노/박막 재료
제목 Properties of MgO-doped SnO2 Thin Films Grown on Sapphire Substrates
초록 본 연구에서는 MgO가 도핑된 SnO2 박막을 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 서로 다른 증착 온도에서 사파이어 기판 위에 성장시킨 박막의 결정 구조와 광학 특성을 제시한다. 스퍼터링 타겟은 SnO2와 MgO를 화학 양론적으로 준비하여 고상반응법으로 합성한 후, 유압 프레스로 압착하여 원형 소결체로 제작하였다. MgO가 도핑된 SnO2 박막은 증착 온도 100~400 °C에서 성장 되었으며, 다양한 온도에서 후열처리를 실시하였다. 박막의 광학적 특성은 UV-VIS 분광 광도계를 사용하여 측정 하였으며, 박막의 투과율은 증착 온도 400 °C와 열처리 온도 870 °C에서 수행한 박막에서 가장 높았으며, 밴드갭 에너지는 3.67 eV 이었다. 증착 온도가 증가함에 따라 밴드갭 에너지는 증가하는 경향을 나타내었다. X-선 회절장치로 측정한 박막의 주 피크는 34º에서 관측되었으며, 정방정계의 결정 구조임을 확인하였다. 실험 결과는 증착 온도와 급속열처리 온도가 SnO2 박막의 구조, 광학 특성에 상당한 영향을 미치며, SnO2 박막 성장에 필요한 최적의 증착 조건을 제시한다.
저자 고봉준, 조신호
소속 신라대
키워드 박막; 반도체; 투과도; 밴드갭
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