| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 | 19권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 | 초음파분무 MOCVD법에 의해 제조된 In을 도핑한 ZnO 박막의 특성 |
| 초록 | 본 연구에서는, 초음파분무 MOCVD법을 이용하여 325℃의 soda lime glass위에 In을 도핑한 ZnO 박막을 제조하고, In 첨가량에 따라 제조된 박막의 구조적, 전기적, 광학적 특성을 조사하였다. 출발 원료로는 zinc acetylacetonate 와 indium acetylacetonate 가 사용되었다. In을 첨가함에 따라 (002) 방향으로 우선 방향성을 나타 내었다. IZO 박막의 비저항 값은 첨가량이 4 at%까지 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 가장 낮은 비저항 값은 4.5 × 10⁻³Ω·㎝였다. 제조된 박막의 가시광 영역에서 평균 투과율은 첨가량에 관계없이 평균 80% 이상이었으며 광학적 밴드갭은 In 첨가량이 증가함에 따라 감소 하였다. |
| 저자 | 이춘호, 최민석 |
| 소속 | 계명대 |
| 키워드 | MOCVD; IZO |
