| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | 전자빔 증착방법으로 형성한 ITO 박막의 전기∙광학적 특성 |
| 초록 | 이 연구에서는 전자빔 증착방법을 이용하여 p-Si(100)기판 위에 ITO 박막을 형성하고, 열처리 조건에 따른 박막의 전기∙광학적 특성변화에 대하여 조사하였다. ITO 박막은 작업진공도 3.0x10-5Torr에서 기판을 10 rpm의 속도로 회전시키며 1Å/sec의 속도로 증착하였다. 증발원은 In2O3와 SnO2가 9:1로 혼합된 2-3 mm 크기의 덩어리를 사용하였다. 열처리는 수평형 전기로에서 산소가스를 4 SLM으로 공급하면서 열처리 온도와 시간을 각각 350~550℃와 10~30 분 사이에서 변화시키며 실시하였다. ITO 박막의 전기적 특성은 4-point probe를 이용하여 측정하였고, Ellipsometer를 이용하여 광학적 성질을 분석하였다. 또한 XRD를 이용하여 박막의 구조적 특성을 조사하였고, XPS를 이용하여 박막의 조성을 분석하였다. 열처리된 ITO 박막의 면저항은 열처리 온도가 350℃부터 550℃까지 증가함에 따라 84 Ω/sq에서 155 Ω/sq으로 증가하는 경향을 보였다. XRD 패턴으로부터 다결정의 ITO 박막이 제작되었음을 확인할 수 있었고, (222)면의 주된 피크는 열처리 온도가 증가함에 따라 회절 강도가 증가하는 경향을 나타내었다. 또한 ITO 박막의 화학적 조성은 열처리 전에 비하여 350℃의 온도에서 열처리함으로써 In과 Sn의 농도가 각각 62.5 at%에서 55.9 at%로, 3.5 at%에서 3.2 at%로 감소하였으며, O의 농도는 33.4 at%에서 40.8 at%로 증가하였다. |
| 저자 | 신승욱1, 김준2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | 전자빔 증착법; Indium Tin Oxide; XRD; XPS |
