| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2009년 가을 (11/05 ~ 11/06, 포항공과대학교) |
| 권호 | 15권 2호 |
| 발표분야 | C. Energy and the Environment(에너지 및 환경재료) |
| 제목 | Si 기판위에 형성된 ITO 박막의 XPS 분석 |
| 초록 | 본 실험에서는 전자빔 증착방법으로 p-Si(100)기판 위에 ITO 박막을 증착하고 산소분위기에서 열처리한 후 XPS를 이용하여 열처리 조건에 따른 화학적 조성의 변화를 분석하였다. 증착된 ITO 박막의 두께는 700Å~800Å이었다. 열처리는 100~500℃의 온도 범위에서 산소가스를 4 SLM으로 공급하면서 10 분 동안 진행하였다. XPS를 사용하여 열처리된 ITO박막의 조성비와 원자의 화학적 상태를 분석하였다. In3d와 Sn3d의core level 결합에너지 444 eV와 485 eV와 비교하여 각각 0.8 eV과 1.7 eV 만큼 증가하였고, O1s의 core level 결합에너지는 531 eV 보다 0.6 eV 정도 감소하였다. 이와 같은 In3d, Sn3d 및 O1s의 core level 결합에너지의 차이로부터 In과 Sn은 각각 O와 결합하여 In2O3와 SnO2의 형태로 존재함을 알 수 있었으며, ITO 박막의 화학적 조성은 In이 55.9 at%, Sn이 3.2 at%이었고, O는 40.8 at% 이었다. |
| 저자 | 김준1, 송창호2, 변창섭1, 김선태2 |
| 소속 | 1한밭대, 2정보전자부품소재(연) |
| 키워드 | 전자빔 증착법; Indium Tin Oxide; XPS |
