| 학회 | 한국공업화학회 |
| 학술대회 | 2005년 가을 (10/28 ~ 10/29, 건국대학교) |
| 권호 | 9권 2호 |
| 발표분야 | 나노 |
| 제목 | Thermal CVD 반응로에서의 기판 간격에 따른 복사 열전달 효과에 관한 연구 |
| 초록 | 본 연구에서는 탄소나노튜브의 합성 방법 중 하나인 열·화학 기상 증착법의 반응로를 선정하여 반응로 내부에서 기판 주위의 열·유동 현상을 규명하기 위한 전산해석을 수행하였다. 조건에 따른 열·유동 현상을 규명하기 위해 단일 기판 조건에서 성장온도를 각각 550°C, 600°C, 750°C로 변화시켰다. 전산해석 결과 성장온도를 증가시켰을 때 기판 뒷면에서의 온도 분포가 안정적이었으며 이는 고온에서 탄소나노튜브가 더욱 안정적으로 성장 할 수 있음을 의미한다. 열 화학 기상 증착법은 고온에서 탄소나노튜브가 성장하므로 전산해석시 복사 열전달 효과에 대한 고려가 필수적이다. 따라서 본 연구에서는 3개의 기판 조건에서 기판 간격을 10mm, 15mm, 20mm, 25mm, 30mm로 변화시켜 전산해석을 수행하였다. 전산해석 결과 기판 간격이 상대적으로 짧을 경우보다 큰 경우에서 기판 뒷면에서의 온도장 분포가 균일하였다. |
| 저자 | 김윤호1, 이영석2, 이도원1, 리광훈1 |
| 소속 | 1서울시립대, 2충남대 |
| 키워드 | CNTs; 복사열전달; 성장온도; Thermal CVD 반응로; 기판 간격; CFD |
