| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (11/02 ~ 11/02, 성균관대학교) |
| 권호 | 13권 2호 |
| 발표분야 | 반도체재료 |
| 제목 | Pt/Si 구조의 상부전극을 사용한 TiO2 박막의 저항 변화 현상과 후 열처리를 통한 메모리 특성 개선에 관한 연구 |
| 초록 | Defect에 의해 형성되는 전도성 필라멘트의 형성과 파괴로 설명 되어지는 binary oxide의bi-stable 한 저항 변화 현상은 박막내부의 oxygen vacancy에 의한 defect 뿐만 아니라 oxide와 상부전극간의 계면 특성에 의해서도 영향을 받는다. 본 연구에서는 얇은 두께의 Si을 상부전극인 Pt 밑에 in-situ로 증착하여 TiO2와 상부전극 사이의 계면특성을 향상 시켜 메모리 특성을 개선시키고자 연구를 진행하였다. 또한 산소분위기에서의 후 열처리를 통해 Si층의 변화를 야기하고 이로 인한 메모리 특성을 관찰하였다. Pt/Si/TiO2/Pt 구조에서 Si층 첨가로 인한 상부전극의 저항은 다소 증가하였지만 접착력이 향상되어 계면특성이 개선되었다. 이로 인해 열처리를 하지 않은 상태에서도 메모리 특성을 관찰 할 수 있었다. 또한 같은 구조를 갖는 소자를 300 oC , 산소분위기에서 열처리를 진행하여 메모리 특성을 관찰 하였다. 이러한 열처리는 TiO2와 전극간의 접착력을 더욱 향상되게 하였으며, 특히 15nm일 때 좋은 접착특성을 보였다. 이러한 결과는 소자 특성에도 영향을 주어 Pt/Si(15nm)/TiO2/Pt구조에서 메모리 특성을 나타내는 전기적 인자 (Vset, Vreset, Ron and Roff)의 산포가 감소되었으며, 재현성 및 내구성에서도 향상된 특성을 얻을 수 있었다. |
| 저자 | 고승희, 이재갑 |
| 소속 | 국민대 |
| 키워드 | ReRAM; TiO2; platinium |
