초록 |
SnO2분말은 N형 산화물 반도체로 환원성 가스에 민감하고, 가시 및 근적외선 영역에서 투명하며 높은 전기전도성을 지니므로 도시가스, LPG 등의 환원성 가스에 대한 가스센서, Electrochromic display(ECD), Liquid crystal display(LCD) 등의 투명전극, IR 등의 열선 반사막, 촉매, Solar cell용 광전도성 필름 등에 널리 사용되고 있는 중요한 재료이다. 지금까지 국내외에서 수행된 SnO2분말의 제조방법을 살펴보면, 대부분의 방법이 SnCl4의 수용액에 침전제인 NH4OH를 반응시켜 Sn(OH)4 침전을 얻는 침전법에 의해 행해지고 있지만 생성된 분말들이 심하게 응집된 구조를 보이고, 제조된 분말들의 입도분포가 크며, 불규칙한 형상의 분말이 재현성 없이 얻어져, 입자형상 및 크기에 관한 조절이 사실상 불가능하므로 선진국에서는 균일침전법에 의해 다양한 종류의 산화물 분말을 제조하고 있다. 그러나균일침전법에 의한 SnO2분말의 제조에 관한 연구는 거의 보고되지 않았다. 따라서 본 연구에서는 균일침전법에 의해 SnO2 분말을 제조 할 목적으로 일정농도의 염화주석 수용액에요소를 첨가한 후 85oC이상의 일정온도로 가열시키면, 수용액의 pH가 상승하여 침전이 생성되게 되는데 이때 Sn4+이온에 대한 요소의 몰비, 반응온도, 수용액내에서 Sn4+이온의 농도의 침전변수를 변화시키면서 가열시간에 따른 수용액의 pH변화를 조사하였다. 이로부터수용액의 pH변화에 따른 침전발생, 침전반응의 종료등의 관계를 조사하여 각 침전변수에따른 염화주석 수용액의 침전특성을 비교, 검토하였다.
|