| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 1996년 가을 (10/18 ~ 10/19, 경북대학교) |
| 권호 | 2권 2호, p.2611 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | TEOS/O3을 이용한 게이트 산화막의 저온 화학증착 |
| 초록 | 본 연구에서는 TEOS/Ozone을 이용하여 막의 저온화를 실현함과 더불어 각각의 공정 조건에 따른 박막의 재료적, 전기적 성질에 대해 평가해 봄으로써 게이트 산화막으로서의 사용 가능성을 검증하고, 최적의 공정 조건을 찾는데 목적을 두고 있다. |
| 저자 | 김효욱, 이시우 |
| 소속 | 포항공대 화공과 재료공정연구실 |
| 키워드 | TEOS; Ozone; gate oxide; TFT-LCD |
| 원문파일 | 초록 보기 |
