한국화학공학회 2010년 봄학술대회 The effects of point defects on the oxygen precipitation of Si wafer grown by Czochralski method 송도원1, 김 효2, 이상훈3 (1(주)실트론 / 서울시립대, 2서울시립대, 3(주)실트론) 목록보기 목록보기
