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번호	제목
36	사파이어 기판 위 MOCVD 성장된 GaN 이종에피층의 고온 성장온도에 따른 변형과 응력\|Stresses and strains in GaN heteroepitail layers grown on sapphire substrate with various growth temperature by MOCVD 장경화, 권명석, 조성일 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
35	MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성\|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD 박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
34	Characteristics of Transparent Conductive Tin Oxide Thin Films on PET Substrate Prepared by ECR-MOCVD 김연석, 이중기 한국화학공학회 2004년 가을 학술대회
33	GaN용 사파이어기판에 주입된 이온 변화에 대한 비교\|Comparison to change of implanted ions on sapphire substrates for GaN 진정근, 이재석, 노대호, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
32	Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) neodymium 을 이용한 Nd oxide 박막의 액체직접주입방식(DLI) 유기금속화학증착\|Direct liquid injection metal organic chemical vapor deposition of Nd oxide films using Tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato) neodymium 송문균, 이시우 한국재료학회 2004년 가을 학술대회
31	RTMOCVD에 의한 ZrO2박막의 제조 및 특성 분석 송병윤, 이원규 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회
30	Surface Reaction of TBOS (tetra-n-Butyl orthosilicate) on Si (100) by TPD and AES 이나경, 용기중 한국화학공학회 2004년 봄 학술대회
29	BaO₂-TiO₂-TiH₂계를 이용한 BaTiO₃제조 및 유전특성평가\|BaTiO₃preparation using the BaO₂- TiO₂ -TiH₂system and dielectric characteristic 박영철, 원창환, H.H. Nersisyan 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
28	이온 빔 식각에 의한 나노구조 양자점 제조\|Nano-structured quantum dot formed by ion beam etching 김형석, 서주형, 박찬경 한국재료학회 2004년 봄 학술대회
27	GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 열처리 효과\|Thermal Annealing Effects of Ion Implanted Sapphire(0001) Substrate for GaN 강호재, 진정근, 이재석, 박현규, 연대흠, 노대호, 변동진, 고의관, 이재상, 이재형 한국재료학회 2004년 봄 학술대회