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알루미늄형상이 고온자전연소법에 의한 질화알루미늄 합성에 미치는 영향|Morphological effect of aluminum powder on aluminum nitride preparation by self-propagating high-temperature synthesis
이재령, 이익규, 안종관, 김동진, 정헌생
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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질화 처리된 (0001) 사파이어 기판에 성장한 산화 아연 박막의 물리적 특성 연구|Various nitride buffer effect of sapphire (0001) surface on the physical properties of ZnO thin films
서효원, 변동진, 최원국
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 다양한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Properties of various ion-implanted sapphire substrates for GaN epilayers
이재석, 진정근, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관, 김충열, 이현휘, 문영부
한국재료학회 2004년 봄 학술대회 |
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AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application|AlInGaN - based multiple quantum well laser diodes for Blu-ray Disc application
O. H. Nam, K. H. Ha, J. S. Kwak, S. N. Lee, K. K. Choi, T. H. Chang, S. H. Chae, W. S. Lee, Y. J. Sung, H. S. Paek, J. H. Chae, T. Sakong, Y. Kim, Y. Park
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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공정조건에 따른 GaN나노와이어의 형상변화|Morphological variation in GaN nanowires with processing conditions
김대희, 박경수, 이정철, 성윤모
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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이온주입된 Si(111)에 AlN 완충층을 이용하여 성장시킨 GaN 박막의 특성|The characteristics of AlN buffered GaN on ion implanted Si(111)
강민구, 진정근, 이재석, 노대호, 양재웅, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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GaN 성장을 위한 이온 주입된 사파이어 기판의 효과|Effect of ion implanted sapphire substrates for GaN
이재석, 진정근, 강민구, 노대호, 성윤모, 변동진
한국재료학회 2003년 가을 학술대회 |
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FBAR 소자용 Si Membrane 구조제작 및 ZnO 압전 박막 증착|The fabrication of membrane structure for FBAR and the deposition of ZnO piezoelectric thin film
임석진,김종성|Seok-Jin Lim,Jong Sung Kim
한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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Development of thermally conductive encapsulants with hybrid conductive fillers for microelectronic packaging
이재익, 이건웅, 윤호규*, 김준경, 박민
한국고분자학회 2002년 가을 학술대회 |
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고밀도 플라즈마를 이용한 반도체 재료 식각기술|Etching Technology of Semiconductor Materials in High Density Plasmas
한윤봉|Yoon Bong Hahn
한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
