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번호	제목
38	The effect of plasma treatment during deposition process on remote plasma atomic layer deposited silicon nitride for charge trap layer 장우출, 김현정, 권영균, 신석윤, 임희우, 정찬원, 조해원, 전형탁 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
37	Characteristics of Field Effect Transistor of Tin Disulfide Deposited by Atomic Layer Deposition at Low Temperatures 이주현, 함기열, 신석윤, 최형수, 이남규, 전형탁 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
36	플렉시블 리튬이온전지를 위한 Ti³⁺가 도핑된 TiO₂ 음극재의 제조 및 복합전극 비율 변화 조희구, 김지수, 석동일, 우미혜, 최성호, 강영구, 전형탁, 정하균 한국재료학회 2017년 봄 학술대회
35	Atomic Layer Deposited Gate Spacer for New Memory Devices 이재민, 장우출, 김현정, 권영균, 전형탁 한국재료학회 2016년 가을 학술대회
34	Characteristics of ALD VO₂ with H₂O reactant 임희우, 신창희, 김현정, 장우출, 전형탁 한국재료학회 2016년 가을 학술대회
33	Optimization of tin monosulfide thin film by atomic layer deposition 최형수, 신석윤, 박주현, 함기열, 이주현, 이승진, 전형탁 한국재료학회 2016년 가을 학술대회
32	9Remote plasma ALD of Silicon nitride at low temperature for gate spacer 김만석, 장우출, 김현정, 이재민, 이건영, 신창희, 권영균, 임희우, 전형탁 한국재료학회 2016년 가을 학술대회
31	The sulfur annealing effect of WCN thin film by atomic layer deposition 이승진, 신석윤, 함기열, 박주현, 김현정, 이주현, 최형수, 전형탁 한국재료학회 2016년 봄 학술대회
30	Characteristics of Si:ZrO₂ deposited by ALD using CP-Zr 이건영, 장우출, 김현정, 임희우, 전형탁 한국재료학회 2016년 봄 학술대회
29	Characteristics of silicon oxy-carbide deposited by RPALD using OMCTS 이재민, 장우출, 김현정, 권영균, 전형탁 한국재료학회 2016년 봄 학술대회