화학공학소재연구정보센터
번호 제목
89 탄소나노튜브를 이용한 SiC, SiCN 나노와이어의 성장|Growth of SiC, SiCN nanowires using CNTs
노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 이재훈, 김나리
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
88 탄화규소 나노와이어의 성장에 미치는 금속촉매의 영향|Effects of metal catalysts to SiC nanowire growth
노대호, 김재수, 변동진, 양재웅, 이재훈, 김나리
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
87 질소, 수소 가스가 이산화규소 나노와이어의 성장에 미치는 영향|Ar and H2 gas effects of SiO2 nanowires growth
김나리, 김재수, 변동진, 노대호, 양재웅, 이재훈
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
86 플라즈마 기상 증착법에 의한 보론카바이드 박막의 RF 변화에 따른 효과|Effect of Boron carbide thin films with RF power by plasma enhanced chemical vapor deposition
연대흠, 진정근, 김길영, 강호재, 박현규, 변동진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
85 MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD
박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
84 열적 환원에 의한 코발트 분말 제조 및 응용 기술|Fabrication of cobalt powder by thermal reduction of oxide and applications
홍성현, 정길영
한국재료학회 2005년 봄 학술대회
83 Dispersion of Multi-wall Carbon Nano Tubes in IPA and Solution of Surfactant
조세호, 김진수, 안계혁, 이영희, 이영석
한국화학공학회 2004년 가을 학술대회
82 GaN용 사파이어기판에 주입된 이온 변화에 대한 비교|Comparison to change of implanted ions on sapphire substrates for GaN
진정근, 이재석, 노대호, 변동진, 이재상, 이재형, 고의관
한국재료학회 2004년 가을 학술대회
81 코발트산화물의 환원에 의한 코발트 분말의 제조|Synthesis of cobalt powder by reduction of cobalt oxide
홍성현, 임대식
한국재료학회 2004년 가을 학술대회
80 다양한 이온 주입에 의해 전처리한 사파이어(0001) 기판에 성장시킨 GaN 에피층의 열처리 효과|Aannealing effects of pre-treated sapphire(0001) substrate using various ion-implantation for GaN epilayers growth
이재석, 진정근, 강호재, 박현규, 노대호, 변동진, 고의관
한국재료학회 2004년 가을 학술대회