964 |
Development of a Basic Model for Cerium Oxide Based Interfacial Switching Memory Device Using Finite Element Method. Sagar Khot, 정동명, 권용우 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
963 |
Fiber-GeS2-Fiber Structure OTS Device for Wearable ReRAM Devices Donghun Shim, Taeyoon Lee 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
962 |
Wearable motion sensor knitted with Aluminum coated yarn and Carbon fiber 장준혁, 김수지, 박승준, 이종한, 인창민, 이미정 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
961 |
Resistance Distribution Statistic and Scalability of Geometry in Phase Change Memory by Intergrating Electro-thermal and Phase-Field Models HoThiThuTrang, Yongwoo Kwon 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
960 |
Modeling of Full Cycle of VCM-based Resistive Memory Using Finite Element Method 정동명, 권용우 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
959 |
Observation of resistive switching properties in Sb2Se3 through morphological manipulation. 양지웅, 정윤성, 이상한 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
958 |
플라즈마 처리를 통해 향상된 신뢰성을 갖는 박막 트랜지스터 기반 플래시 메모리 소자 연구 장석민 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
957 |
Electrochemically deposited Cu2O double layer: Application to a Switching Layer for ReRAM 서희원, 조형균, 김동수, 최지훈, 이학현 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
956 |
HfO2-x 게이트 절연막과 indium-zinc oxide 채널층을 갖는 박막트랜지스터의 이온 이동 기반 비휘발성 메모리 소자 연구 한지민, 정보영, 윤태식 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |
955 |
Strategic allocation of two-dimensional van der Waals semiconductors as oxygen reservoir for boosting resistive switching reliability Seung-Jong Yoo, Kanghyeok Jeon, Jin Joo Ryu, Doo Seok Jeong, Wooseok Song, Gun Hwan Kim 한국재료학회 2021년 가을 학술대회 |