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번호	제목
53	Growth Condition and Fabrication of Device for AlGaN/GaN Hetero-strucure by MOCVD Jaehong Choi, Hyunkyu Park, Jihye Kim, Jinwoo Jung, Dongjin Byun 한국재료학회 2006년 봄 학술대회
52	노즐 형태의 HCRT MOCVD 반응기에서 유체 흐름이 막 표면 조도 미치는 영향 김경수, 정일현 한국공업화학회 2005년 가을 학술대회
51	The Characteristic Analysis of OLED using various surface analysis techniques 이주한 한국고분자학회 2005년 봄 학술대회
50	Control of the electrical and adhesion properties of metal/organic interfaces with self-assembled monolayers 조정호, 임정아, 한중탁, 장호원, 이종람, 조길원 한국고분자학회 2005년 봄 학술대회
49	AlGaN/GaN 이종접합구조의 Al 함량에 따른 I-V 특성.\|I-V property of hetero-structure AlGaN/GaN as Al contents growth on the sapphire(0001) by MOCVD. 박현규, 진정근, 연대흠, 최재홍, 권영석, 이종한, 변동진 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
48	새로운 티타늄 알콕사이드 선구물질을 이용한 산화 티타늄 박막의 제조\|MOCVD of TiO₂ Films Using New Alkoxide Precursor, Ti(mp)₄ 이은석, 조원태, 박미현, 안기석, 정택모, 김창균, 이선숙, 이영국, 김윤수, 이내응 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
47	사파이어 기판 위 MOCVD 성장된 GaN 이종에피층의 고온 성장온도에 따른 변형과 응력\|Stresses and strains in GaN heteroepitail layers grown on sapphire substrate with various growth temperature by MOCVD 장경화, 권명석, 조성일 한국재료학회 2005년 가을 학술대회
46	MOMBE로 성장한 고유전 HfO₂ 박막의 화학적, 전기적 특성\|Properties of high-k HfO₂ films grown by MOMBE 문태형, 최지혁, 명재민 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
45	MOCVD를 이용하여 sapphire(0001)에 성장한 Al 함량에 따른 AlGaN/GaN의 특성\|Properties of AlGaN/GaN as Al contents grown on sapphire(0001) by MOCVD 박현규, 강호재, 진정근, 연대흠, 최재홍, 김지원, 변동진 한국재료학회 2005년 봄 학술대회
44	GaOOH 선구물질을 이용한 GaN 박막 성장\|Growth of GaN thin-film using GaOOH precursor 이재범, 김선태 한국재료학회 2005년 봄 학술대회