| 번호 | 제목 |
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수소 식각과 CMP 공정에 의한 on-axis 6H-SiC 표면의 step 형성연구|Step Formation on on-axis 6H-SiC surface using H2 Etching and CMP Processes 이경선,김광철,노재일,이승현,남기석|Kyung-Sun Lee,Kwang Chul Kim,Jae Il Noh,Seung Hyun Lee,Kee Suk Nahm 한국화학공학회 2002년 가을 학술대회 |
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6H-SiC 기판 표면의 수소 식각에 의한 Step 제어와 결정 박막의 동종 핵 성장 연구|Surface step control of 6H-SiC wafer using Hydrogen etching and homoepitaxial growth of the single crystalline 이경선, 노재일, 이승현, 남기석|Kyung Sun Lee, Jae Il Roh, Seng Hyun Lee, Kee Suk Nahm 한국화학공학회 2002년 봄 학술대회 |
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SiC/Si 기판 위에 3C-SiC 결정 박막의 Homoepitaxy 성장 연구|Homoepitaxial Growth of 3C-SiC(100) thin film on SiC/Si Substrate 노재일,이경선,김광철,남기석|Jae Il Roh,Kyung Sun Lee,Kwang Chul Kim,Kee Suk Nahm 한국화학공학회 2001년 가을 학술대회 |
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Si(100) 기판 위에 성장된 3C-SiC(100)의 특성 연구|The Characterization of SiC(100) Grown on Si(100) Substrate 김광철, 박찬일, 노재일, 남기석|K. C. Kim1, C. I. Park, J. I Roh.K. S. Nahm 한국화학공학회 2000년 봄 학술대회 |
