| 번호 | 제목 |
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NH3 Pre-Plasma Treatment to Reduce Interface State Density of GaN MOS Device 정우석, 임동환, 김영진, 한훈희, 손석기, Andrey Sokolov Sergeevich, 이재호, 최창환 한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
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Characteristics of Molybdenum Disulfide (MoS2) formed by Hydrogen Sulfide (H2S) Sulfurization 최문석, 임동환, Andray Sergeevich, 손석기, 한훈희, 김영진, 이재호, 최창환 한국재료학회 2016년 봄 학술대회 |
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Improved Integration of high-K dielectric on MoS2 by Using Metal Oxide Seed Layer 손석기, 유선문, 최문석, 김도형, 최창환 한국재료학회 2014년 봄 학술대회 |
