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번호	제목
10	GaN growth with hole-patterned masking layer using MOCVD 심규연, 안민주, 강성호, 김효종, 김화영, 변동진 한국재료학회 2021년 가을 학술대회
9	GaN Template Fabrication on Patterned Sapphire Substrate Using SOG Mask 심규연, 정우섭, 조승희, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진 한국재료학회 2019년 봄 학술대회
8	Growth Characteristics of Hetero-epitaxial GaN Growth on 2D Hexagonal Boron Nitride by MOCVD 김재원, 정호경, 문석호, 김지예, 김종규 한국공업화학회 2019년 봄 학술대회
7	Development of GaN Epitaxial Process including Air Void to improve Light Extraction Efficiency of Light Emitting Diode 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회
6	Method of the high efficiency of reflection GaN layer for the lighting emitting diode structure including GaN/AlGaN films for the distributed bragg reflector. 안민주, 김대식, 정우섭, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회
5	HVPE를 이용한 Al₂O₃ 기판 위 α-Ga₂O₃ 에피 성장 이대장, 이현엽, 정형석, 노호균, 문영부, 하준석 한국재료학회 2016년 봄 학술대회
4	Improve Quality of Bi₂Te₃ Films Grown by Molecular Beam Epitaxy on (0001) Sapphire Substrate Duc Duy Le, Trong Si Ngo, Soon-Ku Hong, Duy Khanh Tran 한국재료학회 2016년 봄 학술대회
3	Characteristics of Gallium Nitride (GaN) Films Grown By a Solution Coating Method Using Ga(mDTC)3 Precursor 박승배, 김홍탁, 박진호 한국화학공학회 2011년 봄 학술대회
2	Properties of GaN Epitaxial Films on Silicon Substrates Grown by MHVPE (Modified Hydride Vapor Phase Epitaxy) and Seed-solution Method 홍기남, 김동욱, 김홍탁, 박진호 한국화학공학회 2010년 봄 학술대회
1	OMVPE법에 의해 성장된 Sapphire 기판위의 GaN 박막의 특성 분석\|Characterization of GaN Thin Films grown on Sapphire Substrate by OMVPE Technique 최진식, 박진호\|Jinsik Choi, Chinho Park 한국화학공학회 2000년 가을 학술대회