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Etching of SiO2 in inductively coupled plasmas using heptafluoropropyl methyl ether and perfluoropropyl carbinol 선은재, 김창구 한국화학공학회 2022년 봄 학술대회 |
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Angular dependence of SiO2 etch rates in hydrofluoroalcohol-containing plasmas 선은재, 김창구 한국화학공학회 2021년 가을 학술대회 |
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Effect of mixing ratio in SiO2 etching using hydrofluoroether plasmas 선은재, 김준현, 김창구 한국화학공학회 2021년 봄 학술대회 |
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GWP가 낮은 C3F6O/Ar 가스를 이용한 친환경 SiO2 식각 연구 김수강, 양경채, 신예지, 성다인, 탁현우, 염근영 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Dependence of SiO2 etch rates on the ion-incident angle at various bias voltages in a C4F8 plasma 박창진, 김창구 한국화학공학회 2017년 봄 학술대회 |
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Etch mechanism of Si3N4 in a C4F6/Ar/O2/CH2F2 plasma 조성운, 김준현, 김창구 한국화학공학회 2015년 봄 학술대회 |
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Angular dependence of Si3N4 etch rates in fluorocarbon plasmas 김준현, 조성운, 김창구 한국화학공학회 2015년 봄 학술대회 |
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Effect of bias voltage on the angular dependence of SiO2 etch rates in C4F8 plasmas 김준현, 조성운, 김창구 한국화학공학회 2015년 봄 학술대회 |
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Angular dependence of SiO2 etch rate in fluorocarbon plasmas 김준현, 조성운, 김창구 한국화학공학회 2014년 가을 학술대회 |
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Effect of F/C ratio in discharge gases on the angular dependence of etch rates of SiO2 조성운, 김창구 한국화학공학회 2014년 봄 학술대회 |