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Structural and Optical Investigation of Top-down Fabricated InGaN/GaN Nanowire Light-emitting Diodes. 신영욱, 김재균 한국재료학회 2020년 봄 학술대회 |
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Selective epitaxial growth of wurtzite GaN on patterned sapphire substrate by metal-organic chemical vapor deposition 안민주, 변동진, 정우섭, 조승희, 심규연, 강성호, 김효종 한국재료학회 2020년 봄 학술대회 |
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Stress Release Effect of AlGaN with AlN/AlGaN Interlayer Grown by MOCVD 심규연, 정우섭, 조승희, 안민주, 강성호, 변동진 한국재료학회 2019년 가을 학술대회 |
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GaN Template Fabrication on Patterned Sapphire Substrate Using SOG Mask 심규연, 정우섭, 조승희, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진 한국재료학회 2019년 봄 학술대회 |
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GaN Template Fabrication on Trapezoid Patterned Sapphire Substrate using SOG Mask with Different Buffer Layers 심규연, 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 강성호, 변동진 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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The epitaxial growth of GaN film with air tunnel for light extraction efficiency of LEDs and chemical lift-off process 이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 강성호, 변동진 한국재료학회 2018년 가을 학술대회 |
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GaN epitaxial growth using Ion implantaion process on Patterned Sapphire Substrate. 이두원, 정우섭, 조승희, 고현아, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Development of GaN Epitaxial Process including Air Void to improve Light Extraction Efficiency of Light Emitting Diode 정우섭, 조승희, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Epitaxial Growth of GaN with Air tunnel on patterned sapphire substrate by using buffer layer 조승희, 정우섭, 고현아, 이두원, 안민주, 심규연, 변동진 한국재료학회 2018년 봄 학술대회 |
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Surface analysis of N2 plasma treated sapphire substrate for AlN buffer layer 정우섭, 김대식, 조승희, 김철, 고현아, 이두원, 안민주, 변동진 한국재료학회 2017년 가을 학술대회 |