| 초록 |
볼로미터(bolometer)의 저항체로 사용되는 물질 중 하나인 산화 바나듐(VOx)은 온도에 따른 저항변화(Temperature Coefficient of Resistace, TCR)값이 2%/K로 높은 장점이 있다. 높은 TCR 값을 가진 물질은 적외선의 감지도가 훨씬 커지게 된다. 본 연구에서는 볼로미터형 적외선센서의 적외선 흡수층으로 이용할 수 있는 산화 바나듐의 TCR 변화에 대해 연구하였다. SiO2 기판 위에 RF Magenteron sputtering을 이용하여 Co-Sputtering으로 산화 바나듐 박막을 증착한 후 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 각기 다른 열처리 온도를 조절하여 산화 바나듐을 제조하였고, Atomic Layer Deposition(ALD)를 이용하여 Al2O3박막을 증착하여 산화 방지 보호막을 제조하였다. 제조된 다른 조성의 상화 바나듐 박막에 대해 XRD로 상 분석과 XPS로 박막의 조성변화를 측정하였으며, 이를 통해서 박막 내에 VO2의 비율이 TCR값의 변화를 측정하여 2.5%/K값과 낮은 저항편차를 갖고, 60일 이상 특성이 크게 떨어지지 않는 높은 내구성을 갖는 산화 바나듐 박막을 제조할 수 있었으며, 이는 저항형 볼로미터 제작에 적용 될 수 있다. |
