| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2018년 가을 (11/07 ~ 11/09, 여수 디오션리조트) |
| 권호 |
24권 2호 |
| 발표분야 |
G. 나노/박막 재료 분과 |
| 제목 |
Graphene-Oxide 나노부유게이트를 이용한 비휘발성 메모리 커패시터 제작 및 특성 연구 |
| 초록 |
본 연구에서는 Graphene Oxide(GO)를 나노부유게이트로 이용하여 MOS 구조의 메모리 커패시터 소자를 제작하고, 그것의 전기적 및 메모리 특성을 분석하였다. 우선 Si 기판 위에 터널 산화막으로 7 nm 두께의 Al2O3를 ALD법으로 성장한 후, 그 위에 GO 나노파우더를 스핀코팅 기법으로 분사하였으며, 이 때 GO 나노부유게이트의 밀도에 따른 메모리 특성 변화를 관찰하고자 GO 분사용액의 농도를 조절하였다. 마지막으로 게이트 산화막으로 50 nm 두께의 Al2O3를 ALD법으로 증착하였으며, 추가적으로 상부 및 하부 전극을 형성함으로써 GO 나노부유게이트 MOS 커패시터 구조를 완성하였다. 제작된 소자들의 전기적 특성을 관측한 결과, GO 함유량의 증가에 따라 평판전압 이동치의 증가가 뚜렷이 관측되었으며, 또한 메모리 윈도우의 크기가 GO의 농도에 의존하는 것이 관측되었다. GO 나노부유게이트 함유량 변화에 따른 전기적 특성 변화와 그에 대한 소자물리학적 메커니즘을 상세히 논의한다. |
| 저자 |
강순홍, 이대언, 김현기, 함벅석, 양혜승, 손유진, 김연주, 이영민, 이세준, 김득영
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| 소속 |
동국대 |
| 키워드 |
<P>그래핀 옥사이드; 나노부유게이트; 메모리 커패시터</P>
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