| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
23권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
Improvement of Memory Retention Characteristics of InSnZnO Charge-tarp Memory by utilizing Stacked SiO2/Al2O3 Blocking Dielectric Layer |
| 초록 |
NVM에 있어 Programming/Erase speed 와 data retention time 은 성능을 결정한다. 이에 Blocking layer의 성능은 P/E speed와 data retention에 결정적인 영향을 가한다. 일반적으로 Blocking layer로 SiO2와 Al2O3를 많이 사용하는데, 본 연구에서는 Al2O3에 SiO2를 stacked 하여 blocking layer로 사용하여 만든 NVM과 일반적으로 사용하는 Blocking layer로 만들어진 NVM을 비교 분석하는 실험을 진행하였다. SiO2 와 stacked 한 Al2O3를 비교했을 C가 SiO2 에 비해 증가하였다. 일반적인 Al2O3 Blocking layer를 이용하여 만든 NVM 과 stacked Al2O3 blocking layer 로 만든 NVM을 같은 Programming time 에서 비교하였을 때 시간에 따른 current의 감소가 stacked Al2O3에서 current 감소 즉 leakeage current가 적다는 것을 알 수 있다. 그리고 retention time 역시 stacked Al2O3에서 더 긴 시간을 가지고 있음을 확인 할 수 있다. 이렇게 확인한 조건을 사용하여 고성능의 NVM 제작에 적용할 수 있다. |
| 저자 |
김세용1, 박희준2, NGUYEN THI CAM PHU2, 장경수2, 김정수2, 이준신2
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| 소속 |
1성균관대 전자전기공학과, 2성균관대 |
| 키워드 |
NVM; ISnZnO; Blocking layer
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| E-Mail |
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