| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2018년 봄 (05/16 ~ 05/18, 삼척 쏠비치 호텔&리조트) |
| 권호 | 24권 1호 |
| 발표분야 | F. 광기능/디스플레이 재료 분과 |
| 제목 | n-ZnO/p-GaN 이종접합 LED의 후열처리 효과 |
| 초록 | 본 연구에서는 MOCVD법으로 성장된 p-GaN 위에 n-ZnO를 서로 다른 두께로 스퍼터링하여 n-ZnO/p-GaN 이종 접합 LED를 제작하였고, 서로 다른 온도에서 급속열처리(RTA)하여 특성을 조사하였다. MOCVD법으로 사파이어 기판위에 성장된 Mg doped GaN 박막을 RTA를 이용해 p형의 전도성을 갖도록 활성화시켰다. 600 ℃에서 O₂(100 sccm) 분위기에서 3분 동안 열처리하였다. p-GaN 박막의 표면에 광식각 공정을 통해 패턴을 형성하고, RF출력을 200 W로 일정하게 유지하며 Ar 가스 분위기에서 100 ~ 400 nm의 두께로 증착하였다. 전극을 형성하기 위해 광식각 공정으로 패턴을 형성하였고, DC 스퍼터를 이용하여 Al을 증착시켜 n-ZnO/p-GaN LED를 제작하였다. 제조된 LED의 동작 특성을 HP415B와 분광 장치를 이용하여 평가하였다. 제작된 LED의 순방향 문턱전압은 3.3 V이었다. ZnO의 두께가 증가할수록 역방향 전류가 감소함과 동시에 순방향의 저항이 감소하였다. |
| 저자 | 우승완, 김단비, 김예원, 변창섭, 김선태 |
| 소속 | 한밭대 |
| 키워드 | ZnO; RF sputter; ZnO/GaN; LED; RTA |
