| 초록 |
비정질 산화물 반도체 박막 트렌지스터는 대화면, 고해상도 디스플레이를 위한 스위칭 장치로서 각광받고 있다. 일반적으로 사용되는 산화물 반도체는 IGZO(Indium-Gallium-Zinc-Oxide)로, 비정질 실리콘과 비교하여 높은 균일 성, 높은 이동도, 낮은 오프 전류, 높은 투명성과 같은 장점을 가지고 있다. 그러나, IGZO TFT의 이동도는 일반적으로 약 10 cm2 / V로 제한되기 때문에, 이동도를 개선시키기 위한 산화물 반도체 연구가 꾸준히 진행되고 있다. 그 중 ITZO (Indium-Tin-Zinc-Oxide) TFT는 이동도가 2배 증가된 산화물 반도체로 제안되었다. 또한, RTA (Rapid Thermal Annealing) 공정은 furnace나 oven에 비해서 상대적으로 짧은 공정시간을 동안에 ITZO 산화물 박막의 전기적 특성을 효과적으로 활성화시켜 장치 성능을 향상시킬 수 있다. 본 실험에서는 SiO2/Si 기판 위에 ITZO 물질을 스퍼터링하여 박막을 성장시킨 후 RTA 공정에서 산소를 주입함과 동시에 챔버 압력을 조절하며 어닐링을 진행하였다. RTA 공정에서 산소 분자가 ITZO 층으로 확산되어 캐리어 농도를 조절하고 ITZO TFT의 전기적 특성에 영향을 미치는 것을 확인하였으며 특성을 분석하였다. |
