| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2013년 봄 (05/23 ~ 05/24, 여수 엠블호텔(THE MVL)) |
| 권호 |
19권 1호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료(Electronic and Semiconductor Materials) |
| 제목 |
표면이 거친 Si 나노와이어의 Charge Trapping 특성을 이용한 메모리 (Memory Behavior via Charge Trapping by Using Rough Si Nanowires) |
| 초록 |
다양한 나노와이어 합성법 중에 Si 기판을 이용하여 Si 나노와이어를 합성하는 무전해 식각법은 쉽고 간단하기 때문에 이를 응용한 소자 연구가 다각도로 진행되고 있다. 이렇게 합성된 Si 나노와이어는 식각 과정 중에 표면이 매우 거칠어 지기 때문에 물질 고유의 성질을 내기 어렵지만, 나노 크기의 거칠기를 응용한다면 양자효과 구현 및 charge trapping을 이용한 메모리 특성을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 무전해 식각법을 이용하여 p형 나노와이어를 합성하고 이를 이용한 field-effect transistors(FETs) 기반의 소자를 통해 메모리 특성을 구현하였다. Si 나노와이어의 표면 거칠기는 합성 과정에서 식각 용액의 농도로 조절하였다. 또한 나노와이어와 절연막 사이의 charge trapping 효과를 높이기 위하여 나노와이어를 고분자 절연막에 삽입시켰고, 절연막에 mobile ion 불순물을 첨가하여 메모리 특성을 보다 향상시켰다. 제작된 메모리 소자의 안정성은 retention 측정을 통해 평가하였다. |
| 저자 |
문경주, 이태일, 이상훈, 황성환, 안인경, 명재민
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| 소속 |
연세대 |
| 키워드 |
Si nanowire; electroless etching; charge trapping; memory
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