| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2019년 가을 (10/23 ~ 10/25, 대전컨벤션센터) |
| 권호 | 25권 2호, p.1858 |
| 발표분야 | 재료 (Materials) |
| 제목 | Passivation 처리를 통한 InGaAs의 산화 거동 및 특성 향상 연구 |
| 초록 | Si 기반 반도체 기술은 scale 축소 및 고집적화로 기술 개발의 한계에 직면해 있으며, 이의 대안 기술 중 하나로 III-V족 물질을 채널 재료로 사용하는 것이 연구되고 있다. III-V족 물질은 높은 이동도로 인한 디바이스 속도 향상이 가능한 장점이 있으며, 특히 3성분계 III-V 물질은 3족 원소의 비율 조절을 통하여 mobility, bandgap 등의 조절이 가능하며, 고성능의 트랜지스터, 다이오드 등에 적용 가능한 물질로 주목받고 있다. 본 연구는, 3성분계 III-V족 반도체 물질 중 InGaAs를 다양한 조건으로 oxidation 및 passivation 처리 후, wafer 표면에서 어떤 변화를 보이는지를 관찰하고, 이를 응용한 소자를 제작하여 III-V족 화합물 반도체 표면 최적화하는 기술 개발을 목표로 하였다. 본 연구에서는 InP 기판 위에 epi 성장시킨 InGaAs를 chemical 처리 후, ambient air 환경에서 산화를 진행시키며 passivation에 따른 산화 속도, oxide ratio및 표면 거칠기의 차이가 발생하는지를 각각 엘립소미터, XPS, AFM 등을 통하여 관찰하였다. 나아가 각 passivation 조건별 처리 후 MOSCAP 소자를 제작하고 C-V를 측정하여 전기적 특성에 미치는 영향을 관찰하였다. 그 결과, passivation 처리된 wafer에서 산화가 억제되는 효과를 확인되었다. 또한 passivation 처리된 MOSCAP이 높은 capacitance 및 낮은 interface trap density를 보였다. |
| 저자 | 이진훈, 임상우 |
| 소속 | 연세대 |
| 키워드 | 재료 |
| 원문파일 | 초록 보기 |
