화학공학소재연구정보센터
학회 한국고분자학회
학술대회 2005년 가을 (10/13 ~ 10/14, 제주 ICC)
권호 30권 2호
발표분야 분자전자 부문위원회
제목 Electrical Bistability and Its Switching in the Polar Polymer Film Coated on the Nano-Structured Aluminum-Oxide Electrode
초록 비휘발성 고분자 메모리 소자 (Non-volatile Polymer Memory Device)를 제작하기 위하여 Push-Pull 구조의 기능성 유기분자를 측쇄로 갖는 유기고분자 신소재 PILC를 설계, 합성하였으며 1H-NMR, FT-IR, GPC 등을 통해 합성된 고분자의 화학 구조를 확인하였다. 약 100나노미터 크기의 알루미늄 옥사이드 입자층으로 이루어진 하부전극 위에 PILC 고분자를 스핀코팅하고 상부전극으로 알루미늄층을 증착함으로써 비휘발성 유기고분자 메모리 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 ON/OFF 스위칭 전압은 각각 4V와 10V, ON/OFF 스위칭 비율은 103 이상 이었으며, 메모리 소자의 구동 특성에 대하여 Trapped Charge Limited Current (TCLC) 이론 및 Poole-Frenkel (PF) emission 이론을 적용함으로써 비휘발성 메모리 현상에 대한 메커니즘을 제시하였다.
저자 임선정, 김재복, 김장주, 박수영
소속 서울대
키워드 비휘발성 유기고분자 메모리
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