| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
23권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
CO2 plasma-assisted 방법을 통해 형성된 터널산화막을 이용한 비휘발성 메모리 소자의 전기적 특성 |
| 초록 |
본 연구에서는 ELA 방법으로 결정화된 poly-Si위에 CO2 plasma-assisted방법으로 형성된 tunnel oxide를 이용한 비휘발성메모리(NVM)의 전기적 특성을 연구하였다. 일반적으로 oxidation method는 거친 LTPS 표면위에 매우 얇은 터널층을 형성하기 위해 사용되어져 왔지만, N2O plasma oxidation의 경우 고온에서의 전기적 신뢰성이 떨어지는 단점이 있다. 이에 단점을 보완하고자 이번 연구에서는 CO2 oxidation 방법을 이용한다. CO2 plasma oxidation을 이용한 NVM의 경우 1 μs의 시간에서 빠른 Programming/Erasing 속도, 7 x107의 높은 전류점멸비, 10년 후 300K에서 대략 2.1V(89.7%)의 큰 전하보유특성, 그리고 105의 operation cycle 이후 대략 1.8 V의 높은 전압 등과 같은 전기적 특성을 얻을 수 있었다. 또한 360K에서도 10년 후 약 2.01V(81.7%)의 큰 전하보유특성을 얻을 수 있었다. |
| 저자 |
임찬호, 박희준, NGUYEN THI CAM PHU, 장경수, 김정수, 이준신
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
plasma-assisted; NVM; CO<SUB>2 </SUB>oxidation
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