| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2007년 봄 (05/10 ~ 05/11, 무주리조트) |
| 권호 | 13권 1호 |
| 발표분야 | 전자재료 |
| 제목 | MOCVD법과 RPALD법을 이용한 금속유도결정화법에 관한 연구 |
| 초록 | 최근 차세대 평판 디스플레이와 태양전지 등의 개발이 집중되면서 비정질 실리콘(Amorphous Silicon)에 비해 Mobility가 우수한 다결정 실리콘(Polycrystalline Silicon)을 적용하는 연구가 활발히 진행 되고 있다. 다결정 실리콘을 TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)에 적용 할 경우 보다 적은 소비전력을 얻을 수 있고 태양전지에 적용 할 경우 비정질 실리콘에 비해 우수한 효율을 얻을 수 있는 것으로 확인 되고 있다. 본 연구에서는 Acetone, I.P.A, D.I water 순으로 세정한 p-type(100) Si-Wafer 위에 SiO2 절연막을 형성 한 후 LPCVD(Low Pressure CVD)방법으로 비정질 실리콘을 증착하고 MOCVD(Metal Organic CVD)법과 RPALD(Remote Plasma Enhanced ALD)법을 이용하여 금속 촉매제인 코발트를 증착하였다. 이렇게 준비된 시편을 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 이용하여 질소 분위기에서 400℃~800℃의 열처리 공정을 거쳐 다결정 실리콘 박막을 형성하였다. 형성 된 다결정 실리콘 박막을 XRD(X-Ray Diffractometry)를 이용하여 코발트 실리사이드상의 결정성을 확인하고 SEM(Scanning Electron Microscopy)과 SPM(Scanning Probe Microscopy)을 이용하여 박막 형성에 따른 표면의 미세구조 변화와 표면 특성을 확인하였다. 또한 4-Point Probe를 이용하여 전기전도성의 변화를 확인하는 기초연구를 진행하였다. |
| 저자 | 김명식, 홍진원, 배규식 |
| 소속 | 수원대 |
| 키워드 | MOCVD; RPALD; Co; RTA; 금속유도결정화법 |
