| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2007년 가을 (10/26 ~ 10/27, 한국과학기술원) |
| 권호 | 13권 2호, p.2385 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Ga(mDTC)3 용액코팅법을 이용한 GaN 성장 |
| 초록 | GaN 박막 증착 공정에 사용되는 기판(substrate)으로는 상업적으로 구하기 쉽고, 결정성이 뛰어난 사파이어(Al2O3) 기판이 주로 사용되고 있다. 그러나 사파이어를 기판으로 사용하는 경우, 기판과 GaN 박막 사이의 격자상수 불일치 차이로 인해 높은 결정 결함 밀도를 갖게 되고, 이는 레이저 다이오드의 동작시 높은 문턱전압을 야기시키는 원인으로 작용하고 있다. 기존의 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)법 및 HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy)법에 의한 GaN의 결정결함 밀도를 감소시키는 기술들로서는, 사파이어 기판과 GaN 사이에 AlN이나 무정형 GaN과 같은 완충층(buffer layer)이나 씨앗층(seed layer)을 삽입하는 기술 등이 사용되고 있다. MOCVD법 및 HVPE법에 의한 완충층이나 씨앗층 성장 공정은 기상공정으로 구성되어 있다. 그러나 기상공정을 이용하여 완충층을 형성할 경우 GaN 성장 단계가 복잡해지므로 성장시간이 증가하여 생산성이 떨어지고, seed 결정의 크기 조절이 용이하지 않는 단점을 가지고 있다. 본 연구에서는 Ga(mDTC)3를 클로로포름에 녹인 액상 스핀코팅법으로 seed layer를 형성한 후 GaN을 성장시켰다. 그 결과 상대적으로 낮은 성장 온도인 850℃에서 광학적 특성이 우수한 GaN 박막을 성장 시킬 수 있었다. 감사의 글: 본 연구는 산업자원부 지방기술혁신사업(RTI04-01-04) 지원과 2단계 BK21 영남대학교 디스플레이소재공정 고급인력 양성 사업단의 지원에 감사드립니다. |
| 저자 | 김도훈, 움메파바, 나심엑터, 정우식, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | Modified-HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy); Ga(mDTC)3 Precursor |
| 원문파일 | 초록 보기 |
