| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 |
27권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
역공학을 이용한 반도체 소자의 도핑타입 분석 |
| 초록 |
선진사 반도체 제품의 도핑타입을 파악하기 위해 역공학을 실시하였다. 금속 5층이상의 다층 소자를 기계적 연마와 화학적 제거를 통하여 Decap, Delayer 하여, 목표 영역인 SOI (Silicon on Insulator) 바로 위까지 전처리를 하였다. 전처리된 시편을 Dual Beam Foucsed Ion beam system (DB-FIB)을 이용하여 SOI를 포함하는 100 nm 이하 탐침 모양의 Atom Probe Tomography (APT) 시편을 제작하였고, APT를 이용하여 SOI Si에 "Boron" 이 도핑 된 것을 확인하였다. 본 발표에서는 FIB를 이용한 특정영역에서의 APT 시편제작 과정을 공유하고, SIMS와 APT의 검출한계의 비교, (S)TEM-EDS 와 APT 결과를 비교하여 소개하고자 한다. 또한 다층소자의 아래 부분인 Si 기판쪽을 빠르고, 정밀하게 제거하기 위한 시편 전처리 방법으로 Back side 폴리싱용 지그 제작과 이를 활용한 BSI(Back side illumination) 이미지센서에 활용한 사례를 소개하고자 한다. 국내외 산학연 연구자들은 단순 의뢰를 통하여 나노종합기술원의 도핑프로파일 분석기술을 활용 할 수 있다. |
| 저자 |
차호일, 박경진, 윤우진, 정칱성, 현문섭, 고진원, 박윤창
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| 소속 |
나노종합기술원 |
| 키워드 |
<P>Reverse Enginering; FIB; APT; Doping Profile</P>
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| E-Mail |
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