| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2017년 봄 (05/17 ~ 05/19, 목포 현대호텔) |
| 권호 | 23권 1호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | ZnO/Graphene Schottky Diode의 제작 및 광응답 특성 연구 |
| 초록 | Graphene 기판에 ZnO 박막을 성장하여 전기적 접촉 특성 및 광응답 특성을 연구하였다. CVD 법으로 성장된 단일층 Graphene을 SiO2/n+-Si 기판에 전사한 후, 그 위에 RF Magnetron Sputtering법으로 ZnO 박막을 성장하였고, Shadow Mask 기법을 이용하여 Graphene/ZnO Schottky Diode의 전극을 형성하였다. 전기적 접촉 특성을 관측한 결과, 제작된 소자는 뚜렷한 정류 특성을 보였으며, Schottky 장벽은 약 0.675 eV, 그리고 이상계수는 약 1.77이었다. 다양한 광원(Red, Green, Blue, UV 등)을 이용하여 광응답 특성을 평가해 본 결과, 제작된 Graphene/ZnO Schottky Diode의 광전류 크기가 광원의 포톤 에너지 및 인가 전압의 세기에 크게 의존하는 것이 관측되었다. 이러한 특성은 광원의 포톤 에너지 증가에 따른 광여기 수송자 농도의 증가 때문이며, 특히 ZnO 측 공핍영역에 존재하는 자생결함 준위로부터의 광여기 확률이 포톤 에너지의 크기에 매우 의존적이기 때문이다. 이러한 결과는 ZnO/Graphene Schottky Diode가 색채 구분형 광검출 소자로 활용될 가능성을 보이는 것이다. |
| 저자 | 이화욱, 강순홍, 정석진, 이영민, 김득영, 이세준 |
| 소속 | 동국대 |
| 키워드 | <P>Graphene; Zinc oxide; Schottky diode; Color-dependent photo-current</P> |
