| 초록 |
CdTe는 Y선과 x선 검출기 그리고 레이저창, 전자 광학적 변조기(electro-optical modulators), 적외선 창, HgCdTe의 적층 성장(epitaxial growth)용 기판으로 쓰이는 등 그 응용성 에 대하여 오랫동안 연구되어져 왔다. CdTe단결정의 중요한 다른 응용성의 하나는 태양전지를 제작하기 위하여 기판으로서 사용된다는 것이다. CdTe기판 위에 CdS를 적층 성장하여 제작된 태양전지는 아주 관심 있는 주제 중의 하나이다. n-Cds/p-CdTe 이종 접합은 비록 CdTe의 cubic와 CdS의 hexagon구조의 결합에 대한 문제가 있기는 하지만 대기권 밖 태양광(air mass zero : AMO) 아래에서 이론적인 효을이 19.7%이다. CdS적층 성장은 단지 CdTe기판의 {110}면과 {111}A면 그리고 {221}면세 면에서만 성공적으로 수행되었다. 특별히 CdTe의{111}A면을 기판으로 한 고품질 hexagonal CdS의 적층성장은 CdS와 CdTe {111}A면과의 격자 부정합(latticemismatch)율이 9.47%로 매우 큼에도 불구하고 Leo 등]에 의해서 이루어 겼다. 따라서 고품질의 CdS적층성장을 위해서 CdTe 기판 {111}면의 특성을 아는 것은 아주 중요한 일이다. 본 연구에서는 고품질의 CdTe 단결정을 성장한 후 X-선 분석과 광발광(photoluminescence) 등을 측정하여{111}A면의 특성을 알아보고자 하였다 |
