| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2004년 가을 (11/05 ~ 11/05, 인하대학교) |
| 권호 | 10권 2호 |
| 발표분야 | 기타 |
| 제목 | SiCN 나노와이어의 성장과 특성평가 |
| 초록 | 나노구조가 가지는 우수한 특성이 밝혀진 이후, 탄소나노튜브를 중심으로 한 어러가지 나노와이어들이 개발되고 발표되고 있어, 대표적인 예로서 SiC를 중심으로하는 탄화물, ZnO를 중심으로하는 산화물, GaN을 중심으로하는 질화물 등이 있으며 최금에는 황화물과 규화물 나노와이어도 보고되고 있다. 이밖에 Si, SiO2 나노와이어도 꾸준히 연구되고 있으며 기본 성장기구의 연구를 위하여 주목받고 있다. 최근에는 ZnO, GaN을 이용하는 반도체 나노소자들이 개발되었다. SiCN은 SiC가 가지고 있는 우수한 전기적, 화학적 특징을 기지고 있으며 독특한 기계적 특성을 가지고 있어 내마모코팅재료및, 내열 반도체 소자재료로 사용되고 있다. 본 연구에서는 SiCN 나노와이어를 CVD법과 CNT-confined reaction을 이용하여 성장시켰다. 성장된 나노와이어의 광학적 특성을 분석하였고 성장변수가 성장에 미치는 영향을 관찰하였다. 또한 각각의 성장방법에 따른 성장기구의 영향을 조사하였다. This research was supported by a grant(code #:04K1501-03110) from 'Center of Nanostructureed Materials Technology' under '21st Century Frontier R&D Programs' of Ministry of Science and Technology, Korea. |
| 저자 | 노대호1, 김재수2, 변동진1, 이재훈3, 양재웅4, 김나리1, 진정근1 |
| 소속 | 1고려대, 2한국과학기술(연), 3한국생산기술(연), 4대진대 |
| 키워드 | SiCN; 나노와이어; 나노 |
