| 학회 | 한국재료학회 |
| 학술대회 | 2021년 가을 (11/24 ~ 11/26, 경주 라한호텔) |
| 권호 | 27권 2호 |
| 발표분야 | A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 | A study on the effect of reactive gases (N2/NH3) on silicon nitride thin films deposited with diiodosilane (SiH2I2) precursors |
| 초록 | 본 연구에서는 공간분할 PE-ALD (Plasma Enhance ALD) 방법으로 증착된 실리콘 질화물 박막에 대해 보다 심층적으로 연구하였다. 기존 실리콘 질화물 박막은 700℃ 이상의 고온의 Thermal CVD로 증착되었으며, 전구체는 C 및 Cl 계열의 전구체가 사용되었다. 그러나 높은 공정 온도와 막내 높은 C, Cl의 농도는 반도체 집적화에 따라 여러가지 문제를 발생시킨다. 본 연구에서는 이러한 문제 해결을 위하여 Iodine 계열의 전구체를 사용하여 PE-ALD 방법으로 실리콘 질화물 박막을 증착하였다. 박막의 결함 밀도와 불순물 농도는 정보의 읽기와 쓰기에 큰 영향을 미치므로 공정 조건에 따라 어떻게 변화하는지 확인하였다. 실리콘 질화물 박막의 밀도와 불순물을 개선하기 위해 플라즈마 처리를 수행하였으며, 플라즈마 처리가 실리콘 질화물 박막의 결함 밀도와 불순물 농도에 미치는 영향을 분석하였다. |
| 저자 | 이백주 |
| 소속 | (주)한화 |
| 키워드 | |
