| 초록 |
금속 또는 금속산화막을 증착시키는 방법으로 물리 증착법과 화학기상 증착법이 있다. 화학기상 증착법의 한 분야인 MOCVD (metal-organic chemical vapor deposition) 법은 비교적 낮은 온도에서 분해되는 금속의 유기화합물을 전구체로 사용하는 결정성장 기술로써 여러 다양한 종류의 막 형성이 가능하다. 플라즈마 전극으로 ICP (inductively couple plasma)와 CCP (capacitively coupled plasma)를 이용한다. 이러한 전극 형태는 플라즈마의 효율적 발생과 플라즈마 이온 농도를 높이기 위하여 사용된다. 최근에 응용되고 있는 hollow cathode는 플라즈마를 기판에 집중할 수 있고, ICP와 CCP보다 높은 이온 밀도의 플라즈마를 갖는다. 본 논문에서는 노즐 형태의 HCRT (hollow cathode room temperature) 플라즈마를 개발하여 티타늄 산화막을 저온에서 직접 증착하였다. 기판과 전극 간격에 의한 유체 흐름은 간격이 넓을수록 유체의 흐름이 충분히 발달하여 기판 전체에 일정한 농도, 온도, 속도 분포도를 갖는 것으로 나타났다. |
