| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2008년 가을 (10/23 ~ 10/24, 부산 BEXCO) |
| 권호 | 14권 2호, p.3428 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | 구성 물질 변화에 따른 HEMT의 온도 변화 |
| 초록 | Sapphire substrate를 사용한 AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) 는 최근 빠른 전자이동도와 적은 잡음, 그리고 높은 이득으로 인해 밀리파 대역 전자소자 등 많은 부분에서 사용되고 있으며, 현재 활발한 연구가 진행되고 있다. 하지만 Sapphire는 열 전도도가 매우 낮아 HEMT의 2-Degree Electron Gas (2DEG)에서 나오는 열을 잘 분산시켜주지 못해 높은 전력에서 HEMT 소자를 동작시킬 경우 동작가능 온도 이상의 많은 열이 발생하는 문제점을 가지고 있다. 본 연구에서는 HEMT의 Substrate에 Sapphire와 Silicon Carbide, Passivation Layer에는 Silicon Nitride, Aluminum Nitride 그리고 Graphene을 교대로 사용하여 시뮬레이션을 진행하면서 그에 대한 온도변화를 보았다 |
| 저자 | 정영훈, 김지현, 고건우 |
| 소속 | 고려대 |
| 키워드 | HEMT |
| 원문파일 | 초록 보기 |
