| 학회 | 한국화학공학회 |
| 학술대회 | 2000년 봄 (04/21 ~ 04/22, 한양대학교) |
| 권호 | 6권 1호, p.2013 |
| 발표분야 | 재료 |
| 제목 | Modified Hydride VPE법을 이용한 GaN 증착 공정의 열역학적 해석 |
| 초록 | 본 연구에서는 MOVPE법과 HVPE법의 장점을 이용한 MHVPE법으로 수평형 반응기에 TMGa, HCl, NH3의 반응을 이용하여 GaN 박막을 sapphire 기판 위에 성장시켰다. MHVPE법에 의해 성장된 GaN 박막은 증착속도가 빠르고 표면의 거칠기도 양호하며 박막의 특성 또한 우수한 특징을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 증착 공정의 최적화를 통해 GaN 박막의 특성을 개선하기 위해 증착 실험에 앞서 증착 공정의 열역학적 전산 모사를 수행함으로써 최적의 공정 조건을 도출하고자 하였으며, 증착 중 발생한 carbon-impurity incorporation 문제2)에 대해서도 연구를 수행하였다. |
| 저자 | 서정찬, 최진식, 윤덕선, 여석기, 박진호 |
| 소속 | 영남대 |
| 키워드 | GaN; Thermodynamic analysis |
| 원문파일 | 초록 보기 |
