| 초록 |
현재 친환경 에너지 문제가 지속적인 관심을 받고 있는 상황에서 에너지 절감형 조명기술인 LED는 많은 분야에서 기존의 조명제품들을 빠른 속도로 대체하고 있다. 이와 더불어 LED의 효율과 제작비용에 대해서 지속적인 연구개발을 통하여 향상하는 노력이 필요하다. 본 연구에서는 기존의 LED 제작하는 데에 사용하는 사파이어 기판을 대신하여 GaN 기판을 사용하여 제작한 LED에 대해서 분석한 결과를 보고하고자 한다. 특히, 본 LED에서는 MOCVD방식으로 GaN 에피층을 Si 기판에 성장한 후, HVPE 방법으로 GaN 기판을 제작하였으며, 이를 통하여 결함밀도를 100배 이상 줄였다. 이러한 GaN 기판 위에 다시 MOCVD를 활용하여 LED층을 성장하였으며, 수평구조의 LED칩을 제작하였다. 제작된 LED에 대해서 기존의 사파이어 기판에 성장한 LED와 전기적 광학적 특성을 분석하여 평가하고자 한다. 본 연구에서는 동일한 파장의 빛을 내는 LED를 선별하여 Electroluminescence, EQE(External quantum efficiency) 분석을 통하여 내부 양자효율을 추출해본다. 또한, I-V 곡선과 T-I-V(80K부터 400K까지 온도에 따른 I-V 곡선)곡선을 분석하여, 소자의 결함들이 위의 특성곡선에 어떤 영향을 주는지 분석해보고자 한다. |
