| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2017년 가을 (11/15 ~ 11/17, 경주 현대호텔) |
| 권호 |
23권 2호 |
| 발표분야 |
A. 전자/반도체 재료 분과 |
| 제목 |
a-ITZO와 nanocrystalline ITZO를 적층하여 전자 이동도를 증가시킨 박막 트랜지스터 연구 |
| 초록 |
산화물 반도체는 기존의 반도체 재료의 한계를 극복할 수 있는 점들이 보고되면서 차세대 디스플레이용 소자의 재료로서 주목을 받고 있다. 최근 IGZO 산화물 박막 트랜지스터의 연구가 활발하게 이루어지고 있지만 이동도가 10cm2/V·s에 머무르고 있다. 디스플레이의 발전이 점점 빨라짐에 따라 더 높은 이동도를 갖는 산화물 박막 트랜지스터를 요구하고 있다. 본 연구에서는 a-ITZO와 nc-ITZO를 적층하여 다양한 온도의 Annealing을 통해 SiO2 layer와 ITZO layer 사이의 interface에 trap되는 electron을 줄이는 연구를 통해 Moblilty와 Stability의 특성을 비교 분석을 한다. 따라서 적층시킨 TFT에 Annealing을 통해 서 기존 Oxide의 제조 방식과의 차이를 비교 분석하는 연구를 한다. |
| 저자 |
이준신, 장경수, NGUYEN THI CAM PHU, 박희준, 김정수, 김명중
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| 소속 |
성균관대 |
| 키워드 |
<P>Annealing; 적층; oxide; 산화 적층 반도체; 트랜지스터; a-ITZO; nc-ITZO; TFT</P>
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