| 초록 |
현재까지의 광굴절 소재는 정공수송능이 있는 PVK에 기반을 두고 있어 전자 수송에 의한 광굴절 현상에 대한 시도는 상대적으로 부족하였다. 이에 본 연구에서는 전자 수송능이 있는 옥사디아졸 구조를 함유하고 낮은 유리전이 온도를 갖는 고분자를 합성한 뒤, 여기에 비선형 광학 염료를 도핑한 시스템에서의 광굴절성을 고찰하였다. 고분자는 poly(methyl hydrosiloxane)에 2-(4-allyloxy-phenyl)-5-(4-tert-butyl-phenyl)-[1,3,4]oxadiazole 을 hydrosilylation 반응으로 합성하였다. 여기에 비선형 광학 염료인 [4-(2-ethyl-hexyloxy)-2,5-dimethyl-phenyl]-(4-nitro-phenyl)-diazene 을 도핑하여 필름을 제작하였으며 two beam coupling 과 four wave mixing 실험을 통하여 광굴절성을 평가하였다. 합성된 고분자는 41 oC의 유리전이 온도를 가지며 따라서 별도의 가소제 첨가 없이도 상온의 유리전이 온도를 갖는 광굴절 소자를 제작할 수 있었다. 50 V/μm 에서 13 cm-1 의 gain coefficient를 얻었으며, 특히 TBC 실험에서 기존의 정공전달 구조와 역방향의 에너지 전이현상을 관측하였다. |
