| 학회 | 한국고분자학회 |
| 학술대회 | 2005년 봄 (04/14 ~ 04/15, 전경련회관) |
| 권호 | 30권 1호, p.483 |
| 발표분야 | 분자전자 부문위원회 |
| 제목 | Sol-Gel 법을 이용한 Poly(vinyl phenol)-TiO2 nanocomposite 박막 제조 및 Gate Insulator 응용 |
| 초록 | 최근 플렉서블(flexible) 디스플레이를 구현하기 위해서 구부림이 가능한 기판 위에 유기 박막 트랜지스터를 제조하는 방법에 대해 많은 연구가 진행되어 오고 있다.1,2 기존의 박막 트랜지스터의 gate insulator의 재료로는 주로 무기물이 이용되었는데, 이는 고온과 고진공의 공정을 요구하기 때문에 플라스틱 기판 위에서 공정을 진행하는데 걸림돌이 되어왔다. 따라서, 이를 유기물로 대체하여 저온 습식공정에 기반을 둔 spin coating이나 Inkjet printing방법으로 유기 TFT를 구현하려는 연구들이 각광을 받고 있다.3 그러나, 유기물의 경우 가공성이 유리함에도 불구하고 dielectric constant와 breakdown voltage가 낮아, 이를 해결하기 위하여 높은 dielectric constant를 갖는 무기물과 nanocomposite을 제조함으로써 균일한 박막을 형성하고자 하는 시도들이 진행되고 있다. 본 연구에서는 유기물 gate insulator로 많이 사용되고 있는 poly(vinyl phenol) 과 TiO2를 sol-gel 방법을 이용하여 nanocomposite 박막을 제조하였다. TiO2는 고 유전율을 갖는 산화물로 반도체 전극, 광촉매, 안료 및 가스센서 등 많은 분야에서 널리 사용되고 있는 무기물이다. 제조한 nanocomposite 박막의 물리적, 화학적 특성 및 전기적 특성을 분석하였다. 참고문헌 1. C. D. Dimitrakopoulos, Adv. Mater., 14, vol.2, 99, (2002) 2. G. Lloyd, J. Veres, and S. Ogier, Chem. Mater., 16, 4543, (2004) 3. C. Reese, Materialstoday, 20, (2004) |
| 저자 | 명혜진1, 진인주1, 김철암2, 김기현2, 유인규2, 강승열2, 안성덕2, 오지영2, 백규하2, 서경수2 |
| 소속 | 1인하대, 2한국전자통신(연) |
| 키워드 | Gate insulator; Sol-gel; TiO2; Dielectric property |
