| 학회 |
한국재료학회 |
| 학술대회 |
2010년 봄 (05/13 ~ 05/14, 삼척 팰리스 호텔) |
| 권호 |
16권 1호 |
| 발표분야 |
F. Multiscale Materials, Theory and Phenomena(멀티스케일 재료, 이론 및 현상) |
| 제목 |
In-situ 암모니아 플라즈마 후처리를 이용한 표면 passivation 특성 분석 |
| 초록 |
수소화된 Silicon nitride (SiNx:H)는 plasma enhanced chemical vapor deposition을 사용하여 태양전지산업에서 반사방지막과 패시베이션막으로 널리 사용된다. SiNx:H/N-type Si/SiNx:H와 in-situ 암모니아 플라즈마 후처리된 SiNx:H/N-type Si/SiNx:H의 구조를 갖는 샘플을 제작하여 in-situ 암모니아 플라즈마 후처리 공정의 영향을 보았다. 샘플은 saw damage etching 공정을 거친 후 wet cleaning 처리를 하였다. 질소 분위기에서 건조한 후 단결정 실리콘 웨이퍼의 후면에 SiNx:H 박막을 증착한 후 웨이퍼의 전면에 in-situ 공정으로 암모니아 플라즈마 후처리 후 SiNx:H를 증착하였다. 암모니아 플라즈마 후처리 공정 중 발생되는 damage를 최소화 하기 위하여 SiNx:H 박막 증착시 사용된 RF power보다 낮은 RF power로 진행 하였다. 암모니아 플라즈마 후처리를 통한 passivation 효과 분석을 위하여 quasi-steady-state photoconductance 와 microwave photoconductance로 소수 반송자 수명을 측정하였다. 표면평탄도를 관찰하기 위해 atomic force microscopy를 이용하였으며 표면결합상태 변화를 알아보기 위해 Fourier transform infrared spectroscopy를 이용하였다. 또한, fixed charge 분석을 위해 capacitance-voltage 특성과 depth profiling을 위해 secondary ion mass spectrometer를 이용하였다. |
| 저자 |
이경동, 강민구, 김영도, 탁성주, 박성은, 김동환
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| 소속 |
고려대 |
| 키워드 |
In-situ 암모니아 플라즈마 후처리 |
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